الرئيسية » أرشيف الوسم : التركيب الدقيق لامتصاص الأشعة السينية الممددة

أرشيف الوسم : التركيب الدقيق لامتصاص الأشعة السينية الممددة

التركيب الدقيق لامتصاص الأشعة السينية الممددة EXAFS

التركيب الدقيق لامتصاص الأشعة السينية الممددة EXAFS : تذبذبات معاملات امتصاص أشعة أكس خارج نطاق حدود الامتصاص . إن السبب الفيزيائي للتركيب الدقيق لامتصاص الأشعة السينية الممددة EXAFS هو نتيجة لتعديل المرحلة النهائية للدالة الموجية الفوتوإلكترونية الناتجة عن الحيود الراجع من الذرات المحيطة بالذرة المثارة . يستخدم التركيب الدقيق لامتصاص …

أكمل القراءة »